| 设为首页 | 加入收藏 | English |
![]() |
| 首页 | 公司新闻 | 产品介绍 | 产品视频 | ![]() |
公司介绍 | 反馈中心 | 点胶机博客 | 联系我们 |
国内首个256位分子存储器电路成功 |
作者:站长 文章来源:同志科技 点击数:
更新时间:2008-5-20 |
日前从中国科学技术大学获悉,中国科学院微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室借助中科大国家同步辐射实验室二次X射线光刻工艺,近日成功研制出国内首个256位分子存储器电路。 微电子所纳米加工与新器件集成技术实验室的研究人员在深入研究后成功研制了国内首个256位分子存储器电路。该存储器电路的特征尺寸达到250nm(纳米),电学性能优异。这一进展为我国分子电路的高集成度、高速度和低功耗的实现奠定了重要基础,有力推动了我国分子电子学的发展。
|
| 上一篇:蓝光DVD庞大产业链即将在中国启动 |
| 下一篇:中国电信加速Wi-Fi布局 备战全业务 |
| 北京仝志伟业科技有限公司 北京中科同志科技有限公司 版权所有 电话:010-51669522/33 51662453 传真:8610-51669522/33-816 投诉电话:010-84337667 13811866478 Email:sales@torch.cc 特别感谢:SMT专家网 为本站提供技术支持 京ICP备05034139 |